HGT1S10N120BNST、SGW23N60UFDTM、IGW60T120对比区别

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型号 HGT1S10N120BNST SGW23N60UFDTM IGW60T120

描述 分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RINFINEON  IGW60T120  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 12.0 A -

耗散功率 298 W 100000 mW 375 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 1200 V

反向恢复时间 - 60 ns -

额定功率(Max) 298 W 100 W 375 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 298 W 100000 mW 375 W

针脚数 3 - 3

额定功率 - - 375 W

高度 4.83 mm 4.83 mm 20.95 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-247-3

长度 10.67 mm - 15.9 mm

宽度 11.33 mm - 5.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99