IRG4BC30W-STRLP、SGW23N60UFDTM对比区别

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型号 IRG4BC30W-STRLP SGW23N60UFDTM

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 100 W -

耗散功率 100000 mW 100000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 100 W 100 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100000 mW 100000 mW

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 12.0 A

反向恢复时间 - 60 ns

长度 10.67 mm -

宽度 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99