NTMD6N02R2G、STS5DNF20V、NTMD6N02R2对比区别

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型号 NTMD6N02R2G STS5DNF20V NTMD6N02R2

描述 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSTMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V功率MOSFET 6.0安培， 20伏 Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V 20.0 V

额定电流 6.00 A 5.00 A 6.00 A

额定功率 - 1.6 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 0.035 Ω 30 mΩ 35.0 mΩ

极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 1.22 W

阈值电压 900 mV 2.7 V -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 20.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 5.00 A 6.00 A

上升时间 50.0 ns 33 ns 50.0 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @16V(Vds) 460pF @25V(Vds) 1100pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 730 mW 2 W 730 mW

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2 W -

通道数 2 - -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.65 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99