RMW200N03TB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RMW200N03TB中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1780pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RMW200N03TB引脚图与封装图
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在线购买RMW200N03TB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RMW200N03TB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SOP N-CH 30V 20A | 搜索库存 |
替代型号RMW200N03TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RMW200N03TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOP N-CH 30V 20A | 当前型号 | SOP N-CH 30V 20A | 当前型号 |
| 型号： RS1E200GNTB 品牌： 罗姆半导体 封装： HSOP-8 N-CH 30V 20A | 功能相似 | HSOP N-CH 30V 20A | RMW200N03TB和RS1E200GNTB的区别 |
| 型号： TP86R203NL 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | SOP N-CH 30V 19A | RMW200N03TB和TP86R203NL的区别 |