RMW200N03TB、RS1E200GNTB、SSG4362N对比区别

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型号 RMW200N03TB RS1E200GNTB SSG4362N

描述 SOP N-CH 30V 20AHSOP N-CH 30V 20AN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Secos

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SMD-8 HSOP-8 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 3 W 3 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 20A -

上升时间 50 ns 7.2 ns -

输入电容(Ciss) 1780pF @15V(Vds) 1080pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 3 W - -

下降时间 20 ns 8.4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta), 25.1W (Tc) -

通道数 - 1 -

阈值电压 - 2.5 V -

封装 SMD-8 HSOP-8 -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -