RMW200N03TB、TP86R203NL、RS1E200GNTB对比区别

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型号 RMW200N03TB TP86R203NL RS1E200GNTB

描述 SOP N-CH 30V 20ASOP N-CH 30V 19AHSOP N-CH 30V 20A

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SMD-8 SOP HSOP-8

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 3 W - 3 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 20A 19A 20A

上升时间 50 ns - 7.2 ns

输入电容(Ciss) 1780pF @15V(Vds) - 1080pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3 W - -

下降时间 20 ns - 8.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) - 3W (Ta), 25.1W (Tc)

通道数 - - 1

阈值电压 - - 2.5 V

封装 SMD-8 SOP HSOP-8

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free