通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 55 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 480pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 600mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.95 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RRQ030P03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RRQ030P03TR 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: TSMT P-Channel 30V 3A | 当前型号 | P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: FDC654P 品牌: 飞兆/仙童 封装: SSOT P-Channel 30V 3.6A 75mohms 298pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC654P 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.9 V | RRQ030P03TR和FDC654P的区别 | |
型号: SI3483CDV-T1-GE3 品牌: 威世 封装: TSOP-6 P-Channel 30V 6.1A 34mΩ | 功能相似 | P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | RRQ030P03TR和SI3483CDV-T1-GE3的区别 | |
型号: RQ6E030ATTCR 品牌: 罗姆半导体 封装: TSMT P-Channel 30V 3A | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V | RRQ030P03TR和RQ6E030ATTCR的区别 |