RRQ030P03TR、SI3483CDV-T1-GE3、FDC654P对比区别

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型号 RRQ030P03TR SI3483CDV-T1-GE3 FDC654P

描述 P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM SemiconductorP 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC654P  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.9 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 55 mΩ 27 mΩ 0.063 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.25 W 2 W 1.6 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 3A -6.10 A 3.60 A

正向电压(Max) - 1.2 V -

输入电容(Ciss) 480pF @10V(Vds) 1000pF @15V(Vds) 298pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.25 W 4.2 W 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600mW (Ta) 2000 mW 1.6W (Ta)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - -30.0 V

上升时间 18 ns - 13 ns

下降时间 35 ns - 6 ns

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -3.60 A

输入电容 - - 298 pF

栅电荷 - - 6.20 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 3 mm 3.1 mm 3 mm

宽度 1.8 mm 1.7 mm 1.7 mm

高度 0.95 mm 1 mm 1 mm

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99