R1LP5256ESA-5SI#B0
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Renesas Electronics
瑞萨电子
主动器件
R1LP5256ESA-5SI#B0中文资料参数规格
技术参数
供电电流 35 mA
时钟频率 1 MHz
位数 8
存取时间 55 ns
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 TSOP-28
外形尺寸
长度 11.9 mm
宽度 8.1 mm
高度 1.05 mm
封装 TSOP-28
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
R1LP5256ESA-5SI#B0引脚图与封装图 
R1LP5256ESA-5SI#B0引脚图
R1LP5256ESA-5SI#B0封装图
R1LP5256ESA-5SI#B0封装焊盘图
在线购买R1LP5256ESA-5SI#B0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R1LP5256ESA-5SI#B0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | SRAM，R1LP 系列，Renesas Electronics R1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。 单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM（静态随机存取存储器） | 搜索库存 |
替代型号R1LP5256ESA-5SI#B0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R1LP5256ESA-5SI#B0 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： 28-TSSOP | 当前型号 | SRAM，R1LP 系列，Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM（静态随机存取存储器） | 当前型号 |
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| 型号： R1LP5256ESA-5SI#S0 品牌： 瑞萨电子 封装： TSOP | 完全替代 | R1LP5256E 系列 256 Kb 32 K x 8 5 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-28 | R1LP5256ESA-5SI#B0和R1LP5256ESA-5SI#S0的区别 |