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R1LP5256ESA-5SI#B1、R1LP5256ESA-5SI#B0、R1LP5256ESA-7SI#B0对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LP5256ESA-5SI#B1 R1LP5256ESA-5SI#B0 R1LP5256ESA-7SI#B0

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 70ns 28Pin SOP T/RSRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 70ns 28Pin TSOP-I

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 TSOP-28 TSOP-28 TSOP-28

供电电流 - 35 mA -

时钟频率 - 1 MHz -

位数 - 8 8

存取时间 - 55 ns -

存取时间(Max) - 55 ns 70 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 - 11.9 mm -

宽度 - 8.1 mm -

高度 - 1.05 mm 1 mm

封装 TSOP-28 TSOP-28 TSOP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -