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R1LP5256ESA-5SI#S0、R1LP5256ESA-5SI#B0、R1LP5256ESA-5SI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LP5256ESA-5SI#S0 R1LP5256ESA-5SI#B0 R1LP5256ESA-5SI

描述 R1LP5256E 系列 256 Kb (32 K x 8) 5 V 55 ns 高级 SRAM - TSOP-28SRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)IC,SRAM,32KX8,CMOS,TSSOP,28PIN,PLASTIC

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TSOP-28 TSOP-28 SOP

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 28 28 -

封装 TSOP-28 TSOP-28 SOP

长度 - 11.9 mm -

宽度 - 8.1 mm -

高度 - 1.05 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

供电电流 - 35 mA -

时钟频率 - 1 MHz -

位数 8 8 -

存取时间 - 55 ns -

存取时间(Max) 55 ns 55 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 - EAR99 -