PDTD123TK、PDTD123ET,215、PDTD123TT,215对比区别

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型号 PDTD123TK PDTD123ET,215 PDTD123TT,215

描述 NPN 500毫安， 50 V电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧姆， R2 =开放 NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = openNXP  PDTD123ET,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-23PDTD123T_SER - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 NPN N-Channel, NPN NPN

耗散功率 - 0.25 W 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 5V 40 @50mA, 5V 100 @50mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃