PH20100S,115、PSMN3R3-40YS、HAT2173H-EL-E对比区别

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型号 PH20100S,115 PSMN3R3-40YS HAT2173H-EL-E

描述 PH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FETNXP  PSMN3R3-40YS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2.6 mohm, 10 V, 3 V硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 5

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.0026 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 62.5 W 117 W 30 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 40 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 34.3 A 100A 25A

输入电容(Ciss) 2264pF @25V(Vds) 2754pF @20V(Vds) 4350pF @10V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 62.5W (Tc) 117 W 30W (Tc)

额定功率(Max) 62.5 W - 30 W

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 5.7 ns

长度 - 5 mm -

宽度 - 4.1 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon