
极性 N-Channel
耗散功率 46 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 61.0 A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 1006pF @12VVds
额定功率Max 46 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 46W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 Power-SO8
高度 1.1 mm
封装 Power-SO8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN9R0-30YL,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN9R0-30YL,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: LFPAK N-Channel 30V 61A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 当前型号 | |
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型号: PSMN9R0-30YL 品牌: 恩智浦 封装: LFPAK N-Channel 30V 55A | 功能相似 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | PSMN9R0-30YL,115和PSMN9R0-30YL的区别 |