PSMN9R0-30YL、PSMN9R0-30YL,115对比区别

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型号 PSMN9R0-30YL PSMN9R0-30YL,115

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

封装 LFPAK Power-SO8

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 5

极性 N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 55.0 A 61.0 A

耗散功率 - 46 W

上升时间 - 28 ns

输入电容(Ciss) - 1006pF @12V(Vds)

额定功率(Max) - 46 W

下降时间 - 9 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 46W (Tc)

封装 LFPAK Power-SO8

高度 - 1.1 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)