HAT2168H-EL-E、PSMN9R0-30YL,115、PH6325L,115对比区别

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型号 HAT2168H-EL-E PSMN9R0-30YL,115 PH6325L,115

描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/RLFPAK N-CH 25V 78.7A

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 4

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 15W (Tc) 46 W 62.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 55.0 A 61.0 A 78.7 A

上升时间 20 ns 28 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 1730pF @10V(Vds) 1006pF @12V(Vds) 1871pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 15 W 46 W 62.5 W

下降时间 4 ns 9 ns 12 ns

耗散功率(Max) 15W (Tc) 46W (Tc) 62.5W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 30.0 A - -

输入电容 5.18 nF - -

栅电荷 33.0 nC - -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

高度 1 mm 1.1 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free