PMEG2010BEV,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PMEG2010BEV,115中文资料参数规格
技术参数
正向电压 500mV @1A
热阻 80℃/W RθJL
正向电压Max 500mV @1A
工作结温 150℃ Max
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-666
外形尺寸
封装 SOT-666
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMEG2010BEV,115引脚图与封装图
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在线购买PMEG2010BEV,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMEG2010BEV,115 | NXP 恩智浦 | Diode Schottky 20V 1A Automotive 6Pin SOT-666 T/R | 搜索库存 |
替代型号PMEG2010BEV,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMEG2010BEV,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT666 | 当前型号 | Diode Schottky 20V 1A Automotive 6Pin SOT-666 T/R | 当前型号 |
| 型号： PMEG2010BEV 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Rectifier Diode | PMEG2010BEV,115和PMEG2010BEV的区别 |