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PMEG2010BEV、PMEG2010BEV,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMEG2010BEV PMEG2010BEV,115

描述 Rectifier DiodeDiode Schottky 20V 1A Automotive 6Pin SOT-666 T/R

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - -

封装 - SOT-666

正向电压 - 500mV @1A

热阻 - 80℃/W (RθJL)

正向电压(Max) - 500mV @1A

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

工作结温 - 150℃ (Max)

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 - SOT-666

工作温度 - -

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free