频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
制造应用 工业, Signal Processing, 信号处理, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
P2N2222AG引脚图
P2N2222AG封装图
P2N2222AG封装焊盘图
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P2N2222AG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR P2N2222AG. 放大器晶体管 | 当前型号 |
| 型号： P2N2222ARL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 600mA | 完全替代 | 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon | P2N2222AG和P2N2222ARL1G的区别 |
| 型号： P2N2222AZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 600mA | 完全替代 | TO-92 NPN 40V 0.6A | P2N2222AG和P2N2222AZL1G的区别 |
| 型号： MMBT2222AWT1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 600mA | 类似代替 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | P2N2222AG和MMBT2222AWT1的区别 |
