PIC16F648AT-E/SO、PIC16F648A-E/SO、PIC16F648A-I/P对比区别

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型号 PIC16F648AT-E/SO PIC16F648A-E/SO PIC16F648A-I/P

描述 基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology基于闪存的8位CMOS微控制器采用纳瓦技术 Flash-Based, 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt TechnologyMICROCHIP  PIC16F648A-I/P  微控制器, 8位, 闪存, PIC16F6xxx, 20 MHz, 7 KB, 256 Byte, 18 引脚, DIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 18 18 18

封装 SOIC-18 SOIC-18 PDIP-18

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 20.0MHz (max) 20.0MHz (max) 20 MHz

RAM大小 256 B 256 B 256 b

位数 8 8 8

耗散功率 800 mW 800 mW 800 mW

FLASH内存容量 7 KB - 7168 B

I/O引脚数 16 16 16

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

频率 - - 20 MHz

工作电压 - - 3V ~ 5.5V

针脚数 - - 18

内存容量 - - 2000 B

模数转换数(ADC) - - 0

输入/输出数 - - 16 Input

电源电压 - - 3V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

内核子架构 - PIC16 -

封装 SOIC-18 SOIC-18 PDIP-18

长度 - - 23.37 mm

宽度 - 7.49 mm 0.28 in

高度 - - 4.95 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99