PHD108NQ03LT、PHD108NQ03LT,118对比区别

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型号 PHD108NQ03LT PHD108NQ03LT,118

描述 Power Field-Effect TransistorNXP  PHD108NQ03LT,118  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - TO-252-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0053 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 187 W

阈值电压 - 1.5 V

漏源极电压(Vds) - 25 V

连续漏极电流(Ids) - 75.0 A

上升时间 - 38 ns

输入电容(Ciss) - 1375pF @12V(Vds)

额定功率(Max) - 187 W

下降时间 - 25 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 187W (Tc)

封装 - TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17