MWI100-06A8
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MWI100-06A8中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.9 V
耗散功率 410000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 4.3nF @25V
额定功率Max 410 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 410000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 19
封装 E3
外形尺寸
封装 E3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MWI100-06A8引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MWI100-06A8
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MWI100-06A8 | IXYS Semiconductor | 分立半导体模块 100 Amps 600V | 搜索库存 |
替代型号MWI100-06A8
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MWI100-06A8 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E3 410000mW | 当前型号 | 分立半导体模块 100 Amps 600V | 当前型号 |
| 型号： CM100TU-12F 品牌： Powerex 封装： Module 600V 100A | 功能相似 | POWEREX CM100TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 600V, 350W, 600V, Module | MWI100-06A8和CM100TU-12F的区别 |
| 型号： 6MBI100F-060 品牌： 富士电机 封装： | 功能相似 | Igbt Power Transistor Module | MWI100-06A8和6MBI100F-060的区别 |