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CM100TU-12F、MWI100-06A8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CM100TU-12F MWI100-06A8

描述 POWEREX CM100TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 600V, 350W, 600V, Module分立半导体模块 100 Amps 600V

数据手册 --

制造商 Powerex IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis Screw

引脚数 17 19

封装 Module E3

正向电压 - 1.9 V

耗散功率 350 W 410000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

输入电容(Cies) 27nF @10V 4.3nF @25V

额定功率(Max) 350 W 410 W

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 410000 mW

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 100 A -

极性 N-Channel -

额定电压 600 V -

封装 Module E3

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free