6MBI100F-060、MWI100-06A8、CM100TU-12F对比区别

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型号 6MBI100F-060 MWI100-06A8 CM100TU-12F

描述 Igbt Power Transistor Module分立半导体模块 100 Amps 600VIGBT模块大功率开关使用 IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor Mitsubishi (三菱)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 - Screw -

引脚数 - 19 -

封装 - E3 -

正向电压 - 1.9 V -

耗散功率 - 410000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

输入电容(Cies) - 4.3nF @25V -

额定功率(Max) - 410 W -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 410000 mW -

封装 - E3 -

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -