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M29DW323DB70ZE6E、M29DW323DT70ZE6E、M29DW323DB70ZE6F TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29DW323DB70ZE6E M29DW323DT70ZE6E M29DW323DB70ZE6F TR

描述 NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8Bit/16Bit 70ns 48Pin TFBGA TrayMICRON  M29DW323DT70ZE6E  闪存, 引导块, 非, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TFBGA, 48 引脚IC FLASH 32Mbit 70NS 48TFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 48 48 -

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48

电源电压(DC) - 2.70V (min) -

供电电流 - 10 mA -

针脚数 - 48 -

存取时间 70 ns 70 ns -

内存容量 4000000 B 4000000 B -

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

位数 8, 16 - -

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -