BD679A、MJE802、BD679AS对比区别
描述 STMICROELECTRONICS BD679A 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFE达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 4.00 A 4.00 A 4.00 A
极性 NPN N-Channel NPN
耗散功率 40 W 40.0 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80.0 V 80 V
集电极最大允许电流 - 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 750 750 750 @2A, 3V
针脚数 3 - -
额定功率(Max) 40 W - 40 W
直流电流增益(hFE) 750 - 750
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW - 40000 mW
封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3
长度 7.8 mm - 8 mm
宽度 2.7 mm - 3.25 mm
高度 10.8 mm - 11.2 mm
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Bulk Bulk
最小包装 - 500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)