MS1001
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MS1001中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 270000 mW
击穿电压集电极-发射极 18 V
增益 13 dB
最小电流放大倍数hFE 20 @5A, 5V
额定功率Max 270 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 270000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 M-174
外形尺寸
高度 7.11 mm
封装 M-174
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MS1001引脚图与封装图
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在线购买MS1001
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MS1001 | Microsemi 美高森美 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin | 搜索库存 |
替代型号MS1001
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MS1001 品牌： Microsemi 美高森美 封装： M174 270000mW | 当前型号 | RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin | 当前型号 |
| 型号： SD1405 品牌： 意法半导体 封装： M174 36V 20A | 功能相似 | 射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS | MS1001和SD1405的区别 |
| 型号： 2SC2290 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | Trans RF BJT NPN 18V 20A 4Pin 2-13B1A | MS1001和2SC2290的区别 |
| 型号： MRF492 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4 | MS1001和MRF492的区别 |
