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MS1001、SD1405、HF75-12对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MS1001 SD1405 HF75-12

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Surface Mount -

封装 M-174 M174 -

引脚数 4 - -

额定电压(DC) - 36.0 V -

额定电流 - 20.0 A -

耗散功率 270000 mW 270 W -

击穿电压(集电极-发射极) 18 V 18 V -

增益 13 dB 13 dB -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @5A, 5V 20 @5A, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) 270 W 270 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 270000 mW - -

长度 - 24.89 mm -

宽度 - 12.83 mm -

高度 7.11 mm 7.11 mm -

封装 M-174 M174 -

工作温度 200℃ (TJ) 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -