MRF492、MS1001对比区别

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型号 MRF492 MS1001

描述 RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin

数据手册 --

制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Screw

引脚数 - 4

封装 - M-174

耗散功率 - 270000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 18 V

增益 - 13 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @5A, 5V

额定功率(Max) - 270 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 270000 mW

高度 - 7.11 mm

封装 - M-174

工作温度 - 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free