M36DR432AD10ZA6T

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

闪存存储器 IC 32Mb（2M x 16）并联 100 ns 66-LFBGA（12x8）

得捷:
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA

艾睿:
MCP 2Mx16 Flash + 256Kx16 SRAM 1.8V 66-Pin LFBGA T/R

Chip1Stop:
Combo Mem 2Mx16 Flash + 256Kx16 SRAM 1.8V 66-Pin LFBGA T/R

Win Source:
32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

M36DR432AD10ZA6T中文资料参数规格

技术参数

存取时间 100 ns

内存容量 32000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 2.2V

封装参数

引脚数 66

封装 LFBGA-66

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 LFBGA-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

M36DR432AD10ZA6T引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
M36DR432AD10ZA6T	ST Microelectronics 意法半导体	32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product	搜索库存

替代型号M36DR432AD10ZA6T

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： M36DR432AD10ZA6T 品牌： ST Microelectronics 意法半导体封装： LFBGA 32000000B 100ns	当前型号	32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product	当前型号
型号： M36DR432AD10ZA6 品牌：意法半导体封装：	功能相似	IC FLASH 32Mbit 100NS 66LFBGA	M36DR432AD10ZA6T和M36DR432AD10ZA6的区别
型号： M36DR432A100ZA6C 品牌： Numonyx 封装：	功能相似	Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-66	M36DR432AD10ZA6T和M36DR432A100ZA6C的区别
型号： M36DR432A100ZA6T 品牌： Numonyx 封装：	功能相似	Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-66	M36DR432AD10ZA6T和M36DR432A100ZA6T的区别