M36DR432AD10ZA6、M36DR432AD10ZA6T、M36DR432A120ZA6C对比区别

高亮显示差异参数

型号 M36DR432AD10ZA6 M36DR432AD10ZA6T M36DR432A120ZA6C

描述 IC FLASH 32Mbit 100NS 66LFBGA32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256K x16的SRAM ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

封装 LFBGA LFBGA-66 LFBGA

引脚数 - 66 -

封装 LFBGA LFBGA-66 LFBGA

高度 - 1.1 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 32000000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 1.65V ~ 2.2V -