M36DR432A100ZA6T、M36DR432AD10ZA6T对比区别

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型号 M36DR432A100ZA6T M36DR432AD10ZA6T

描述 Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-6632兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

数据手册 --

制造商 Numonyx ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

引脚数 - 66

封装 LFBGA LFBGA-66

存取时间 - 100 ns

内存容量 - 32000000 B

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 1.65V ~ 2.2V

高度 - 1.1 mm

封装 LFBGA LFBGA-66

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 -

含铅标准 - Lead Free