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MTD6N20ET5G

MTD6N20ET5G

数据手册.pdf

DPAK N-CH 200V 6A

N-Channel 200V 6A Tc 1.75W Ta, 50W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


MTD6N20ET5G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.75W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 480pF @25VVds

额定功率Max 1.75 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.75W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

MTD6N20ET5G引脚图与封装图
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