MGB15N35CLT4
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
MGB15N35CLT4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 380 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 CASE 418B-03
外形尺寸
封装 CASE 418B-03
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
MGB15N35CLT4引脚图与封装图
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在线购买MGB15N35CLT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MGB15N35CLT4 | ON Semiconductor 安森美 | 点火IGBT 15安培， 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK | 搜索库存 |
替代型号MGB15N35CLT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MGB15N35CLT4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： CASE 150W | 当前型号 | 点火IGBT 15安培， 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK | 当前型号 |
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| 型号： NGB15N41CLT4 品牌： 安森美 封装： TO-263-3 410V 15A 107W | 功能相似 | 点火IGBT 15安培， 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts | MGB15N35CLT4和NGB15N41CLT4的区别 |