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MGB15N35CLT4、NGB15N41CLT4G、NGB15N41CLT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MGB15N35CLT4 NGB15N41CLT4G NGB15N41CLT4

描述 点火IGBT 15安培, 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK点火IGBT 15安培, 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts点火IGBT 15安培, 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 CASE 418B-03 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 410 V 410 V

额定电流 - 15.0 A 15.0 A

耗散功率 150 W 107 W 107 W

上升时间 - 4.00 ns 4.00 ns

击穿电压(集电极-发射极) 380 V 410 V 440 V

额定功率(Max) - - 107 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 107000 mW 107 W

封装 CASE 418B-03 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -