MGB15N35CLT4、NGB15N41CLT4、NGB15N41CLT4G对比区别
型号 MGB15N35CLT4 NGB15N41CLT4 NGB15N41CLT4G
描述 点火IGBT 15安培， 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK点火IGBT 15安培， 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts点火IGBT 15安培， 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 CASE 418B-03 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 410 V 410 V
额定电流 - 15.0 A 15.0 A
耗散功率 150 W 107 W 107 W
上升时间 - 4.00 ns 4.00 ns
击穿电压(集电极-发射极) 380 V 440 V 410 V
额定功率(Max) - 107 W -
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 107 W 107000 mW
封装 CASE 418B-03 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99