MPS3638AG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @300mA, 2V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPS3638AG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPS3638AG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS3638AG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -25V -500mA | 当前型号 | TO-92 PNP 25V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： MMBT4403LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -40V -600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT4403LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -600 mA, 200 hFE | MPS3638AG和MMBT4403LT1G的区别 |