制造商型号： | SI3458BDV-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI3458BDV-T1-E3
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SI3458BDV-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI3458BDV-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3458BDV-T1-BE3 SI3458BDV-E3
单位重量 20 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥11.546689 总价：￥11.55 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.546689 | 11.55 |
| 10 | 10.148933 | 101.49 |
| 100 | 7.780038 | 778.00 |
| 500 | 6.150132 | 3075.07 |
| 1000 | 4.920106 | 4920.11 |
品牌其他型号
SI3458BDV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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