额定电压DC -30.0 V
额定电流 -500 mA
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MPSW63 | ON Semiconductor 安森美 | 一瓦达林顿晶体管PNP硅 One Watt Darlington Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MPSW63 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 Dual P-Channel -30V -500mA 1000mW | 当前型号 | 一瓦达林顿晶体管PNP硅 One Watt Darlington Transistors PNP Silicon | 当前型号 | |
型号: 2N2925 品牌: NTE Electronics 封装: NPN | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 2N2925 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50V, 360mW, 100mA, 400 hFE | MPSW63和2N2925的区别 | |
型号: 2SC1213 品牌: 瑞萨电子 封装: | 功能相似 | NPN硅外延 Silicon NPN Epitaxial | MPSW63和2SC1213的区别 | |
型号: BC560B 品牌: Continental Device 封装: | 功能相似 | Transistor PNP BC560/BC560B CONTINENTAL DEVICE RoHS Ampere=1V=45 TO92 | MPSW63和BC560B的区别 |