MCH6662-TL-W中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.8 W
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 128pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MCH6662-TL-W引脚图与封装图
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在线购买MCH6662-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCH6662-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | 2个N沟道 20V 2A | 搜索库存 |
替代型号MCH6662-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MCH6662-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-SMD | 当前型号 | 2个N沟道 20V 2A | 当前型号 |
| 型号： MCH6662-TL-H 品牌： 安森美 封装： 6-SMD N-CH 20V 2A | 完全替代 | 双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | MCH6662-TL-W和MCH6662-TL-H的区别 |