KSE200STSTU、MJE200STU对比区别

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型号 KSE200STSTU MJE200STU

描述 Trans GP BJT NPN 25V 5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailMJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 65 MHz

额定电压(DC) - 25.0 V

额定电流 - 5.00 A

极性 NPN NPN

耗散功率 - 15 W

增益频宽积 - 65 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

集电极最大允许电流 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 180

额定功率(Max) 15 W 15 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 15000 mW

长度 - 8 mm

宽度 - 3.25 mm

高度 - 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99