MPSW05G中文资料参数规格
技术参数
频率 50 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSW05G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPSW05G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW05G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 60V 500mA 1000mW | 当前型号 | 一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MPSW05 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 60V 500mA | 完全替代 | 一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors | MPSW05G和MPSW05的区别 |
| 型号： 2N3904BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 60V 200mA 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N3904BU. 晶体管, NPN | MPSW05G和2N3904BU的区别 |
| 型号： 2N4401BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4401BU 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE | MPSW05G和2N4401BU的区别 |