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2N3904BU、MPSW05G、2N3904G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3904BU MPSW05G 2N3904G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N3904BU.  晶体管, NPN一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 300 MHz 50 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 40.0 V

额定电流 200 mA 500 mA 200 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 1 W 625 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 60 V 40 V

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 0.2A 0.5A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 60 @250mA, 1V 100 @10mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW 625 mW

额定功率 360 mW - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99