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2N4401BU、MPSW05G、2N4401TA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4401BU MPSW05G 2N4401TA

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N4401BU  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier TransistorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N4401TA  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 20 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 250 MHz 50 MHz 250 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 60.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 500 mA 600 mA

额定功率 350 mW - 350 mW

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 1 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 60 V 40 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.5A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 1V 60 @250mA, 1V 100 @150mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

直流电流增益(hFE) 100 - 20

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW 625 mW

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99