锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MUN5213DW1T3G

MUN5213DW1T3G

数据手册.pdf

双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K, R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88


立创商城:
双 NPN 双极数字晶体管 BRT


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


安富利:
Trans Darlington NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


MUN5213DW1T3G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 187 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 140

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN5213DW1T3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MUN5213DW1T3G
型号 制造商 描述 购买
MUN5213DW1T3G ON Semiconductor 安森美 双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K, R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K 搜索库存
替代型号MUN5213DW1T3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN5213DW1T3G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: 6-TSSOP NPN 385mW

当前型号

双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K, R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K

当前型号

型号: MUN5213DW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 N-Channel 50V 100mA 385mW

功能相似

ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

MUN5213DW1T3G和MUN5213DW1T1G的区别