制造商型号： | MUN5213DW1T3G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-双极 |
商品描述： | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) MUN5213DW1T3G
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MUN5213DW1T3G 中文资料
数据手册PDF
MUN5213DW1T3G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 47 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
耗散功率 187 mW, 256 mW
集电极—基极电压 50 V
直流电流增益（Max） 140
外形参数
高度 0.95 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
类型 Dual Bias Resistor Transistor
单位重量 6 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 0.058399 | 0.06 |
| 10 | 0.057042 | 0.57 |
| 30 | 0.056138 | 1.68 |
| 100 | 0.055234 | 5.52 |
品牌其他型号
MUN5213DW1T3G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-双极
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