MUN5336DW1T1G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUN5336DW1T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN5336DW1T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5336DW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | MUN5336DW1: 互补 NPN+PNP 双极数字晶体管 BRT | 搜索库存 |
替代型号MUN5336DW1T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5336DW1T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP | 当前型号 | MUN5336DW1: 互补 NPN+PNP 双极数字晶体管 BRT | 当前型号 |
| 型号： NSVMUN5333DW1T1G 品牌： 安森美 封装： 6-TSSOP NPN PNP 385mW | 完全替代 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | MUN5336DW1T1G和NSVMUN5333DW1T1G的区别 |