MRF176GV
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M/A-Com
主动器件
MRF176GV中文资料参数规格
技术参数
频率 225 MHz
漏源击穿电压 125V min
输出功率 200 W
增益 17 dB
测试电流 100 mA
额定电压 125 V
封装参数
安装方式 Flange
封装 375-04
外形尺寸
封装 375-04
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF176GV引脚图与封装图
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在线购买MRF176GV
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF176GV | M/A-Com | 射频MOSFET线200 / 150W ，为500MHz ， 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V | 搜索库存 |
替代型号MRF176GV
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF176GV 品牌： M/A-Com 封装： CASE | 当前型号 | 射频MOSFET线200 / 150W ，为500MHz ， 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V | 当前型号 |
| 型号： MRF151G 品牌： M/A-Com 封装： Case 500000mW | 类似代替 | N沟道宽带射频功率MOSFET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET | MRF176GV和MRF151G的区别 |
| 型号： BLF278,112 品牌： 恩智浦 封装： SOT-262A1 N-Channel | 功能相似 | Blf278 - Vhf推挽功率Mos晶体管 | MRF176GV和BLF278,112的区别 |
| 型号： BLF278 品牌： 恩智浦 封装： SOT-262A1 N-Channel 125V 18A 500W | 功能相似 | NXP BLF278 晶体管, 射频FET, 125 V, 18 A, 500 W, 400 MHz, 520 MHz, SOT-262A1 | MRF176GV和BLF278的区别 |