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BLF278、MRF176GV、SD2932对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF278 MRF176GV SD2932

描述 NXP  BLF278  晶体管, 射频FET, 125 V, 18 A, 500 W, 400 MHz, 520 MHz, SOT-262A1射频MOSFET线200 / 150W ,为500MHz , 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Flange Flange Flange

引脚数 5 - 3

封装 SOT-2621 375-04 M-244

频率 - 225 MHz 175 MHz

额定电压(DC) 125 V - 125 V

额定电流 18.0 A - 40 A

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 500 W - 500000 mW

输入电容 - - 480 pF

漏源极电压(Vds) 125 V - 125 V

漏源击穿电压 125V (min) 125V (min) 125 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 40.0 A

输出功率 300 W 200 W 300 W

增益 20.0 dB 17 dB 16 dB

测试电流 - 100 mA 500 mA

输入电容(Ciss) - - 480pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500000 mW

额定电压 - 125 V 125 V

电源电压(DC) 50.0 V - -

针脚数 5 - -

封装 SOT-2621 375-04 M-244

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99