MRF151G、MRF176GV、BLF278对比区别

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型号 MRF151G MRF176GV BLF278

描述 N沟道宽带射频功率MOSFET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET射频MOSFET线200 / 150W ，为500MHz ， 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50VNXP  BLF278  晶体管, 射频FET, 125 V, 18 A, 500 W, 400 MHz, 520 MHz, SOT-262A1

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Flange Flange Flange

封装 375-04 375-04 SOT-2621

引脚数 5 - 5

频率 175 MHz 225 MHz -

漏源击穿电压 125V (min) 125V (min) 125V (min)

输出功率 300 W 200 W 300 W

增益 16 dB 17 dB 20.0 dB

测试电流 500 mA 100 mA -

额定电压 125 V 125 V -

电源电压(DC) - - 50.0 V

额定电压(DC) - - 125 V

额定电流 40 A - 18.0 A

针脚数 - - 5

极性 - - N-Channel

耗散功率 500 W - 500 W

漏源极电压(Vds) - - 125 V

连续漏极电流(Ids) - - 18.0 A

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

输入电容(Ciss) 350pF @50V(Vds) - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 500000 mW - -

封装 375-04 375-04 SOT-2621

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -